MMBT5401LT1G vs MMBT5401

MMBT5401LT1GとMMBT5401の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 5373 個数
Package: SOT-23
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Part B

MMBT5401

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6921 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Full specification comparison

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Specification	MMBT5401LT1G	MMBT5401
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	500 mA	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	150 V	150 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	500mV @ 5mA, 50mA	500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max)	50nA (ICBO)	50nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	60 @ 10mA, 5V	60 @ 10mA, 5V
Power - Max	300 mW	350 mW
Frequency - Transition	300MHz	300MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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