MMBT5551 vs MMBT5401LT1G 比較

MMBT5401LT1GとMMBT5551の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。

仕様

MMBT5401LT1G

+BOM

5373 個数 | オンセミコンダクター社

MMBT5551

+BOM

3024 個数 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

パッケージ SOT-23

説明 TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 TRANS NPN 160V 600MA SOT-23

Part Status Active Active

Transistor Type PNP NPN

Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA -

Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V -

Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA -

Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) -

DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V -

Power - Max 300 mW 350 mW

Frequency - Transition 300MHz 300MHz

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Current - Collector (Ic) (Max) - 600 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) - 160 V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - 200mV @ 5mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max) - 50µA

DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce - 80 @ 10mA, 5V

Packaging - Tape & Reel (TR)

比較モデル : MMBT5401LT1G MMBT5551

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