MRF5812GR1 vs MRF5812G

MRF5812GR1とMRF5812Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MRF5812GR1

マイクロセミコーポレーション

Lifecycle: Active
Stock: 5446 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF

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Part B

MRF5812G

マイクロセミコーポレーション

Lifecycle: Active
Stock: 7617 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF

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Full specification comparison

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Specification	MRF5812GR1	MRF5812G
Supplier	-	Microchip Technology
Part Status	Obsolete	Obsolete
Transistor Type	NPN	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	15V	15V
Frequency - Transition	5GHz	5GHz
Noise Figure(d B Typ @ f)	2dB ~ 3dB @ 500MHz	2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain	13dB ~ 15.5dB	13dB ~ 15.5dB
Power - Max	1.25W	1.25W
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	50 @ 50mA, 5V	50 @ 50mA, 5V
Current - Collector(Ic)(Max)	200mA	200mA
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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