MRF5812GR1 vs MRF5812GR2

MRF5812GR1とMRF5812GR2の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MRF5812GR1

マイクロセミコーポレーション

Lifecycle
Active
Stock
5446 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
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Part B

MRF5812GR2

マイクロセミコーポレーション

Lifecycle
Active
Stock
7102 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
+BOM 見積依頼

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Full specification comparison

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Specification MRF5812GR1 MRF5812GR2
Supplier - Microchip Technology
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 15V 15V
Frequency - Transition 5GHz 5GHz
Noise Figure(d B Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB
Power - Max 1.25W 1.25W
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V
Current - Collector(Ic)(Max) 200mA 200mA
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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