MUN5111T1G vs MUN5114T1 比較
MUN5111T1GとMUN5114T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SC-70
説明
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT323
Supplier
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onsemi
Part Status
Active
Obsolete
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
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Current - Collector(Ic)(Max)
100 mA
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Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
50 V
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Resistor - Base(R1)
10 kOhms
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Resistor - Emitter Base(R2)
10 kOhms
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DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
35 @ 5mA, 10V
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Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
250mV @ 300µA, 10mA
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Current - Collector Cutoff(Max)
500nA
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Power - Max
202 mW
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Mounting Type
Surface Mount
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