MUN5111T1G vs MUN5133DW1T1 比較

MUN5111T1GとMUN5133DW1T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MUN5111T1G

+BOM

2851 個数 | オンセミコンダクター社
MUN5133DW1T1

+BOM

9958 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SC-70 SC-88
説明 TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms 47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 202 mW 385mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
比較モデル : MUN5111T1G MUN5133DW1T1

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