NVMFD5877NLT1G vs NVMFD5873NLT1G

NVMFD5877NLT1GとNVMFD5873NLT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NVMFD5877NLT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6114 個数
Package
TDFN-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Part B

NVMFD5873NLT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
7536 個数
Package
TDFN-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification NVMFD5877NLT1G NVMFD5873NLT1G
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
Series Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A 10A
Rds On(Max) @ Id Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V 13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 10V 30.5nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 540pF @ 25V 1560pF @ 25V
Power - Max 3.2W 3.1W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount