NVMFD5C466NLT1G vs NVMFD5877NLWFT3G

NVMFD5C466NLT1GとNVMFD5877NLWFT3Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NVMFD5C466NLT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6212 個数
Package
TDFN-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Part B

NVMFD5877NLWFT3G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
9982 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification NVMFD5C466NLT1G NVMFD5877NLWFT3G
Part Status Active Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 540pF @ 25V
Power - Max 3W (Ta), 40W (Tc) 3.2W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - NVMFD5877
Grade - Automotive
Qualification - AEC-Q101
Series Automotive, AEC-Q101 -
FET Type 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 14A (Ta), 52A (Tc) -
Rds On(Max) @ Id Vgs 7.4mOhm @ 10A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 30µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 997pF @ 25V -