SBC846BLT1G vs SBC847CDW1T1 比較

SBC846BLT1GとSBC847CDW1T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
SBC846BLT1G

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4800 個数 | オンセミコンダクター社
SBC847CDW1T1

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3768 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-23-3
説明 TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Series Automotive, AEC-Q101 -
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 65 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V -
Power - Max 300 mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
比較モデル : SBC846BLT1G SBC847CDW1T1

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