SI2301-TP vs SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3とSI2301-TPの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。

仕様

SI2302DDS-T1-GE3

+BOM

4873 個数 | ビシェイ・シリコニクス

SI2301-TP

+BOM

3274 個数 | マイクロコマーシャル株式会社

パッケージ SOT-23-3 SOT-23-3

説明 MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

Series TrenchFET® -

ProductStatus Active Active

FETType N-Channel P-Channel

Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V 20 V

Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.9A (Tj) 2.8A (Ta)

DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V

RdsOn(Max)@IdVgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(Max)@Id 850mV @ 250µA 1V @ 250µA

GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 14.5 nC @ 4.5 V

Vgs(Max) ±8V ±8V

PowerDissipation(Max) 710mW (Ta) 1.25W (Ta)

OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

MountingType Surface Mount Surface Mount

InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 880 pF @ 6 V

比較モデル : SI2302DDS-T1-GE3 SI2301-TP

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SI2301-TP vs SI2302DDS-T1-GE3

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