SI2301-TP vs SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3とSI2301-TPの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23-3
SOT-23-3
説明
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.2A (Ta)
2.8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
100mOhm @ 2.8A, 4.5V
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
950mV @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
10 nC @ 4.5 V
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
375 pF @ 6 V
880 pF @ 6 V
PowerDissipation(Max)
700mW (Ta)
1.25W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
