SI2305-TP vs SI2304DDS-T1-GE3 比較
SI2305-TPとSI2304DDS-T1-GE3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23
SOT-23-3
説明
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Series
-
TrenchFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
90mOhm @ 2A, 1.8V
60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
900mV @ 250µA
2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
6.7 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±8V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
235 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
