STF10NM60N vs STF1060
STF10NM60NとSTF1060の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-220F
TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
説明
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
DIODE SCHOTTKY 60V ITO220AC
Supplier
-
SMC Diode Solutions
ProductStatus
Active
Active
DiodeType
-
Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max)
-
60 V
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If
-
650 mV @ 10 A
Speed
-
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current-ReverseLeakage@Vr
-
850 µA @ 60 V
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
MDmesh™ II
-
FETType
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
600 V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Tc)
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
550mOhm @ 4A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
19 nC @ 10 V
-
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
540 pF @ 50 V
-
PowerDissipation(Max)
25W (Tc)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
