STGF19NC60KD vs STGF10NC60SD

STGF19NC60KDとSTGF10NC60SDの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGF19NC60KD

RFE/フューゼテック

Lifecycle: Active
Stock: 4484 個数
Package: TO-220FP-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Part B

STGF10NC60SD

RFE/フューゼテック

Lifecycle: Active
Stock: 4369 個数
Package: TO-220-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Full specification comparison

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Specification	STGF19NC60KD	STGF10NC60SD
Supplier	-	STMicroelectronics
Series	PowerMESH™	PowerMESH™
Part Status	Active	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	16 A	10 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	75 A	25 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.75V @ 15V, 12A	1.65V @ 15V, 5A
Power - Max	32 W	25 W
Switching Energy	165µJ (on), 255µJ (off)	60µJ (on), 340µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	55 nC	18 nC
Td(on / off) @ 25°C	30ns/105ns	19ns/160ns
Test Condition	480V, 12A, 10Ohm, 15V	390V, 5A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	31 ns	22 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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