TLE2022CDR vs TLE2072AIDR

TLE2072AIDRとTLE2022CDRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
TLE2072AIDR

+BOM

2601 個数 | STマイクロエレクトロニクス
TLE2022CDR

+BOM

3607 個数 | STマイクロエレクトロニクス
パッケージ
説明
ProductStatus Active Active
AmplifierType J-FET General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 45V/µs 0.65V/µs
GainBandwidthProduct 10 MHz 2.8 MHz
Current-InputBias 20 pA 35 nA
Voltage-InputOffset 700 µV 150 µV
Current-Supply 3.1mA (x2 Channels) 550µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 48 mA 30 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 4.5 V 4 V
Voltage-SupplySpan(Max) 38 V 40 V
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - Excalibur™
比較モデル : TLE2072AIDR TLE2022CDR

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