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2N7635-GA
+BOMTRANS SJT 650V 4A TO257
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #2N7635-GA
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在庫状況8691
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 4A (Tc) (165°C) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 415mOhm @ 4A |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 324 pF @ 35 V |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-257 |
