G3R20MT12N

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G3R20MT12N

+BOM

SIC MOSFET N-CH 105A SOT227

  • メーカーGeneSiC半導体

  • メーカー品番 #G3R20MT12N

  • 在庫状況203

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仕様

属性 値
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Series G3R™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 105A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 24mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.69V @ 15mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 219 nC @ 15 V
Vgs(Max) +20V, -10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5873 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 365W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227

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