APTM100A12STG

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APTM100A12STG

+BOM

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

  • メーカーマイクロセミコーポレーション

  • メーカー品番 #APTM100A12STG

  • データシート APTM100A12STG DataSheet

  • パッケージ SP-3

  • 在庫状況9833

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7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 68A
Rds On(Max) @ Id Vgs 120mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 10mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 616nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 17400pF @ 25V
Power - Max 1250W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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