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FGA30T65SHD
+BOMINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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メーカーフェアチャイルドセミコンダクター
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メーカー品番 #FGA30T65SHD
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データシート FGA30T65SHD DataSheet
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パッケージ TO-3P-3
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在庫状況5414
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 650 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 90 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 238 W |
| Switching Energy | 598µJ (on), 167µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 54.7 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 14.4ns/52.8ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31.8 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
