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G4S12020D
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
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メーカーグローバル・パワー・テクノロジー（GPT）
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メーカー品番 #G4S12020D
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データシート G4S12020D DataSheet
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在庫状況8111
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 75A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 20 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 2600pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SupplierDevicePackage | TO-263 |
