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G5S06510QT
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
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メーカーグローバル・パワー・テクノロジー（GPT）
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メーカー品番 #G5S06510QT
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データシート G5S06510QT DataSheet
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パッケージ TSFN-4
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在庫状況7408
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package / Case | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 53A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 645pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 4-DFN (8x8) |
