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GD2X60MPS06N
+BOM650V 120A SOT-227 SIC SCHOTTKY
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #GD2X60MPS06N
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データシート GD2X60MPS06N DataSheet
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パッケージ SOT-227-4, miniBLOC
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在庫状況300
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| Series | SiC Schottky MPS™ |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 2 Independent |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 70A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.8 V @ 60 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 650 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 175°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | SOT-227-4, miniBLOC |
