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MBR200200CTR
+BOMDIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #MBR200200CTR
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データシート MBR200200CTR DataSheet
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パッケージ Twin Tower
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在庫状況7515
365 日間品質保証
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Anode |
| DiodeType | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 100A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 920 mV @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 3 mA @ 200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Twin Tower |
