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MBR40035CTRL
+BOMDIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #MBR40035CTRL
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データシート MBR40035CTRL DataSheet
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パッケージ Twin Tower
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在庫状況8250
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 200A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 200 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 35 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
