画像は参考用です
MBRT500200
+BOMDIODE SCHOTTKY 200V 250A 3 TOWER
-
メーカーGeneSiC半導体
-
メーカー品番 #MBRT500200
-
データシート MBRT500200 DataSheet
-
パッケージ Three Tower
-
在庫状況6235
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 250A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 250 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
