MJD117-1G

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MJD117-1G

+BOM

TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

  • メーカーオンセミコンダクター社

  • メーカー品番 #MJD117-1G

  • パッケージ TO-251-3

  • 在庫状況4024

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仕様

属性 値
Supplier Rochester Electronics, LLC,onsemi
Package / Case Bulk,Tube
Part Status Active
Transistor Type PNP - Darlington
Current - Collector(Ic)(Max) 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 100 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff(Max) 20µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 1000 @ 2A, 3V
Power - Max 1.75 W
Frequency - Transition 25MHz
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

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