画像は参考用です
MURT20005R
+BOMDIODE MODULE 50V 100A 3TOWER
-
メーカーGeneSiC半導体
-
メーカー品番 #MURT20005R
-
データシート MURT20005R DataSheet
-
パッケージ Three Tower
-
在庫状況5766
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 100A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |