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MURT20060R
+BOMDIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #MURT20060R
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データシート MURT20060R DataSheet
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パッケージ Three Tower
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在庫状況4138
365 日間品質保証
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Anode |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 100A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 160 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 25 µA @ 50 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Three Tower |
