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MURTA200120R
+BOMDIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #MURTA200120R
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パッケージ Three Tower
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在庫状況8553
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 100A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 100 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
