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NDS9952A
+BOMMOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC
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メーカーオンセミコンダクター社
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メーカー品番 #NDS9952A
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データシート NDS9952A DataSheet
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パッケージ SOIC-8
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在庫状況6639
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3.7A, 2.9A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 80mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Power - Max | 900mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
