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R6509END3TL1
+BOM650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
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メーカーロームセミコンダクター
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メーカー品番 #R6509END3TL1
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在庫状況3960
365 日間品質保証
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 585mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 230µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252 |
