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RQ3E120BNTB
+BOMMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
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メーカーロームセミコンダクター
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メーカー品番 #RQ3E120BNTB
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在庫状況2991
365 日間品質保証
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90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 9.3mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
