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SCT040H65G3AG
+BOMAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
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メーカーRFE/フューゼテック
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メーカー品番 #SCT040H65G3AG
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在庫状況75
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 650 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 30A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 15V, 18V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 55mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.2V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 39.5 nC @ 18 V |
| Vgs(Max) | +18V, -5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 920 pF @ 400 V |
| PowerDissipation(Max) | 221W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | H2PAK-7 |
