SI1905BDH-T1-E3

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SI1905BDH-T1-E3

+BOM

MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

  • メーカービシェイ・シリコニクス

  • メーカー品番 #SI1905BDH-T1-E3

  • パッケージ SC-88

  • 在庫状況9497

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仕様

属性 値
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 630mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 542mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 62pF @ 4V
Power - Max 357mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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