SI4505DY-T1-E3

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SI4505DY-T1-E3

+BOM

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

  • メーカービシェイ・シリコニクス

  • メーカー品番 #SI4505DY-T1-E3

  • パッケージ SOIC-8

  • 在庫状況5115

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A, 3.8A
Rds On(Max) @ Id Vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Power - Max 1.2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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