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MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
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メーカービシェイ・シリコニクス
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メーカー品番 #SI4618DY-T1-E3
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データシート SI4618DY-T1-E3 DataSheet
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パッケージ SOIC-8
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在庫状況7740
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 8A, 15.2A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 17mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1535pF @ 15V |
| Power - Max | 1.98W, 4.16W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
