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SI4940DY-T1-E3
+BOMMOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
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メーカービシェイ・シリコニクス
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メーカー品番 #SI4940DY-T1-E3
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データシート SI4940DY-T1-E3 DataSheet
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パッケージ SOIC-8
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在庫状況6156
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 4.2A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 36mOhm @ 5.7A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Power - Max | 1.1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
