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MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
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メーカービシェイ・シリコニクス
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メーカー品番 #SI4952DY-T1-E3
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データシート SI4952DY-T1-E3 DataSheet
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パッケージ SOIC-8
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在庫状況2399
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 8A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 680pF @ 13V |
| Power - Max | 2.8W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
