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SI7962DP-T1-E3
+BOMMOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
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メーカービシェイ・シリコニクス
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メーカー品番 #SI7962DP-T1-E3
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パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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在庫状況3512
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 7.1A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 17mOhm @ 11.1A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
