SI7964DP-T1-GE3

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SI7964DP-T1-GE3

+BOM

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

  • メーカービシェイ・シリコニクス

  • メーカー品番 #SI7964DP-T1-GE3

  • パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual

  • 在庫状況8136

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仕様

属性 値
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 23mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Power - Max 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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