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SI7983DP-T1-E3
+BOMMOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
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メーカービシェイ・シリコニクス
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メーカー品番 #SI7983DP-T1-E3
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パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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在庫状況6201
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 P-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 7.7A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 17mOhm @ 12A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 600µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 74nC @ 4.5V |
| Power-Max | 1.4W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
