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SI7983DP-T1-GE3
+BOMMOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
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メーカービシェイ・シリコニクス
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メーカー品番 #SI7983DP-T1-GE3
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パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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在庫状況9600
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 7.7A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 17mOhm @ 12A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 600µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 74nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
