SI8900EDB-T2-E1

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SI8900EDB-T2-E1

+BOM

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

  • メーカービシェイ・シリコニクス

  • メーカー品番 #SI8900EDB-T2-E1

  • パッケージ UFBGA-10

  • 在庫状況2692

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7*24 日間の品質保証

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1日間のアフターサービス保証

仕様

属性
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.4A
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Power - Max 1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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