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SI8902AEDB-T2-E1
+BOMN-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
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メーカービシェイ・シリコニクス
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メーカー品番 #SI8902AEDB-T2-E1
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データシート SI8902AEDB-T2-E1 DataSheet
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パッケージ UFBGA-6
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在庫状況2936
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 11A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 28mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Power - Max | 5.7W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
