SIB900EDK-T1-GE3

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SIB900EDK-T1-GE3

+BOM

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

  • メーカービシェイ・シリコニクス

  • メーカー品番 #SIB900EDK-T1-GE3

  • パッケージ PowerPAK® SC-75-6L Dual

  • 在庫状況9585

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.7nC @ 4.5V
Power - Max 3.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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