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MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
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メーカーRFE/フューゼテック
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メーカー品番 #STI11NM60ND
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データシート STI11NM60ND DataSheet
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在庫状況2281
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tube |
| Series | FDmesh™ II |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±25V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK |
