DTA114YET1G vs DTA114EUA 比較

DTA114YET1GとDTA114EUAの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。

仕様

DTA114YET1G

+BOM

28687 個数 | オンセミコンダクター社

DTA114EUA

+BOM

8284 個数 | 揚州楊傑電子科技有限公司

パッケージ SOT-416 SOT-323

説明 TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-323

Supplier onsemi Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

Part Status Active Active

Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased

Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V

Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms

Resistor - Emitter Base(R2) 47 kOhms 10 kOhms

DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 80 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 5V

Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA

Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 100nA

Power - Max 200 mW 200 mW

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Frequency - Transition - 250 MHz

比較モデル : DTA114YET1G DTA114EUA

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