DTA114YET1G vs DTA114TET1

DTA114YET1GとDTA114TET1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DTA114YET1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 28687 個数
Package: SOT-416
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス

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Part B

DTA114TET1

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 9427 個数
Package: SOT-416
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス

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Full specification comparison

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Specification	DTA114YET1G	DTA114TET1
Supplier	onsemi	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	50 V
Resistor - Base(R1)	10 kOhms	10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	47 kOhms	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	80 @ 5mA, 10V	160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 300µA, 10mA	250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	500nA
Power - Max	200 mW	200 mW
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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