FDMC8030 vs FDMC86139P

FDMC8030とFDMC86139Pの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC8030

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3544 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ
Part B

FDMC86139P

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5029 個数
Package
WDFN-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Specification FDMC8030 FDMC86139P
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
FET Type - P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 67mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1335 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMC80 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V -
Power - Max 800mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -