FDMC86259P vs FDMC86116LZ

FDMC86259PとFDMC86116LZの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC86259P

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 7633 個数
Series: トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET

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Part B

FDMC86116LZ

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6484 個数
Series: トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET

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Full specification comparison

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Specification	FDMC86259P	FDMC86116LZ
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Active
Base Product Number	FDMC86259	FDMC86116
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta), 13A (Tc)	3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	107mOhm @ 3A, 10V	103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V	6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2045 pF @ 75 V	310 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	2.3W (Ta), 62W (Tc)	2.3W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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